目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。

　　DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。

　　从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

　　DUV和EUV的主要区别：

　　1、制程范围不同

　　DUV：基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。

　　EUV：能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

　　2、发光原理不同

　　DUV：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。

　　EUV：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。

　　3、光路系统不同

　　DUV：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。

　　EUV：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。