eMRAM是综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质,断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者。同时很关键的是,它对制造工艺要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本。
与当今广泛使用的eFlash相比,eMRAM具有许多优势,它不涉及电荷或电流,而是使用磁存储元件,并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期,这意味着更高的性能。此外,可以使用现代工艺技术生产MRAM,并且具有很高的耐久性。该技术有一些缺点,最终将通过使用ReRAM的制造工艺来解决,但GlobalFoundries和三星Foundry认为MRAM在绝大多数应用中都具有巨大潜力。
使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片,在ECC关闭模式下,在-40°C到125°C的工作温度下,具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。此外,公司的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试,包括LTOL(168小时)、HTOL(500小时)和5x焊料回流,故障率<1ppm,而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。
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